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“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术填补国内空白

发布日期:2024-02-07 01:20浏览次数:
本文摘要:华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(华润上华)自律研发的滑行道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利空缺了国内空白,首创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,超过国际领先水平。 目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,总计生产量已约24万片,大幅度提高了企业营收能力,两年内为华润上华追加必要销售额3.8亿元,追加利润4500万元。

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华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(华润上华)自律研发的滑行道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利空缺了国内空白,首创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,超过国际领先水平。

目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,总计生产量已约24万片,大幅度提高了企业营收能力,两年内为华润上华追加必要销售额3.8亿元,追加利润4500万元。  该项专利获取一种提升滑行道形NLDMOS晶体管及其制作方法,使用圆环形结构在N型漂移区构成P型同心的环,通过调整P型同心的环的半径掌控P型杂质总量,从而与N型杂质超过电荷平衡,提升滑行道形器件结构急弯部分耐压的方式。

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传统方式是在急弯部分构成非常简单的PN结,PN拢的偏移耐压即为器件急弯部分的耐压,这种方式虽然非常简单,但却使急弯部分不不存在闸极,从而浪费了芯片面积。使用该技术不仅可在滑行道形器件结构的急弯部分提升耐压,而且可以在急弯部分保有闸极,使器件电流逆大,超过有效地利用芯片面积,减小电流,减少导通电阻的目的。  环绕上述主专利,华润上华还分别在国内外申请人了41项周边专利,包含专利人组,对华润上华所经营的特定领域展开系统控制和维护,使华润上华取得持续的竞争优势。目前,华润上华在国内单芯片LED灯光驱动电源市场中的市场占有率超过100%,有国内外著名客户21家,部分产品已顺利被大众、奥迪等汽车厂商用于。


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